簡介
工學(xué)博士，教授,，博士生導(dǎo)師，教育部2007年度“新世紀(jì)優(yōu)秀人才”,。從事半導(dǎo)體材料的制備、性能和器件研究,，取得了一系列具有國際水平的研究成果,。主持國家863、國家自然科學(xué)基金重點,、面上,、山東省重大等項目，以通訊或第一作者發(fā)表SCI論文142篇,，被諾貝爾物理學(xué)獎獲得者等他引5000余次,，研究工作被Nature China和Nature Materials作為亮點進(jìn)行評論。獲授權(quán)發(fā)明專利30余項,，其中GaN單晶生長及加工實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,。獲山東省自然科學(xué)獎二等獎,、中國建材科技獎二等獎。
聯(lián)系方式：[email protected]
教育及工作經(jīng)歷
1992.09-1996.06 山東輕工業(yè)學(xué)院,，硅酸鹽工程,，學(xué)士
1996.09-1999.04 浙江大學(xué)，材料學(xué),，碩士
1999.09-2002.06 山東大學(xué),，材料學(xué)，博士
2002.07-2004.08 山東大學(xué),，晶體材料研究所,，講師
2004.09-2006.08 山東大學(xué)，晶體材料研究所,，副教授
2006.04-2019.05 山東大學(xué),，晶體材料研究所，副所長
2006.09-2020.10 山東大學(xué),，晶體材料研究所,，教授
2020.11至今 齊魯工業(yè)大學(xué)，材料科學(xué)與工程學(xué)院,，教授
2021.10至今 齊魯工業(yè)大學(xué)（山東省科學(xué)院）材料科學(xué)與工程學(xué)部主任、材料科學(xué)與工程學(xué)院院長,、新材料研究所所長
主要研究領(lǐng)域
- 寬禁帶半導(dǎo)體晶體的生長,、加工及器件研究；
- 新型能源材料的制備及應(yīng)用研究,。
科研項目
1. 低應(yīng)力低位錯密度4英寸GaN單晶的HVPE生長研究,，2019.01-2022.12，國家自然科學(xué)基金,，66萬元,，主持
2. 新型襯底上高質(zhì)量GaN單晶的HVPE生長及自剝離研究，2016.01-2019.12,，國家自然科學(xué)基金,，76.8萬元，主持
3. GaN體單晶生長基礎(chǔ)研究,，2009,01-2012,12,，國家自然科學(xué)基金，140萬元,，主持
4. 適用于分布式光伏系統(tǒng)的新型能源存儲器件,，2017.08-2019.07，山東省自然科學(xué)基金重大基礎(chǔ)類項目,，90萬元,，主持
5. 藍(lán)光LED用GaN單晶襯底材料研制，2010.1-2012.12，山東省科技攻關(guān)項目,，50萬元,，主持
6. 寬禁帶半導(dǎo)體氮化物（GaN、AlN）單晶襯底,，濟(jì)南市"新高校20條"項目,，2022.01-2024.12，90萬元,，主持
7. 4英寸氮化鎵單晶襯底產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究,，2019.08-2021.08，山東省重點研發(fā)計劃,，1000萬元,，參與
發(fā)表論文
1. Weidong He，Zedong Lin,，Kangning Zhao,，Yanlu Li，Chao Meng,，Jiantao Li,，Sungsik Lee，Yongzhong Wu*,，Xiaopeng Hao*, Interspace and Vacancy Modulation: Promoting the Zinc Storage of an Alcohol-Based Organic-Inorganic Cathode in a Water-Organic Electrolyte, Adv.Mater., 2022, 34, 2203920
2. Weidong He, Shouzhi Wang, Yongliang Shao, Zhen Kong, Huayao Tu, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, Water Invoking Interface Corrosion: An Energy Density Booster for Ni//Zn Battery, Adv. Energy Mater., 2021, 11, 2003268
3. Shouzhi Wang, Huaping Zhao, Songyang Lv, Hehe Jiang, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Yong Lei*, Insight into Nickel-Cobalt Oxysulfide Nanowires as Advanced Anode for Sodium-Ion Capacitors, Adv. Energy Mater., 2021, 11, 2100408
4. Xiaogang Yao, Guodong Wang, Huayao Tu, Shengfu Liu, Mingzhi Yang, Zhen Kong, Yongliang Shao, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, Crystallographic orientation and strain distribution in AlN seeds grown on 6H-SiC substrates by the PVT method, CrystEngComm, 2021, 23, 4946-4953
5. Shouzhi Wang, Lili Li, Yongliang Shao, Lei Zhang, Yanlu Li*, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Transition‐Metal Oxynitride: A Facile Strategy for Improving Electrochemical Capacitor Storage, Adv.Mater., 2019, 1806088
6. Baoguo Zhang, Yongzhong Wu, Lei Zhang, Qin Huo, Haixiao Hu, Fukun Ma,Mingzhi Yang, Dong Shi, Yongliang Shao*, Xiaopeng Hao*, Growth of high-quality GaN crystals on a BCN nanosheet-coated substrate by hydride vapor phase epitaxy, CrystEngComm, 2019, 21,，1302–1308
7. Shouzhi Wang, Lei Zhang, Changlong Sun, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Jiaxin Lv, Xiaopeng Hao*，Gallium Nitride Crystals: Novel Supercapacitor Electrode Materials,，Adv. Mater.,，2016, 28, 3768-3776
8. Lei Zhang, Xianlei Li, Yongliang Shao, Jiaoxian Yu, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Zhengmao Yin, Yuanbin Dai, Yuan Tian, Qin Huo, Yinan Shen, Zhen Hua, and Baoguo Zhang, Improving the Quality of GaN Crystals by Using Graphene or Hexagonal Boron Nitride Nanosheets Substrate, ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 4504−4510
9. Miao Du, Xianlei Li, Aizhu Wang, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, and Mingwen Zhao*, One-Step Exfoliation and Fluorination of Boron Nitride Nanosheets and a Study of Their Magnetic Properties, Angew. Chem. Int. Ed., 53, 3645 –3649, 2014
10. Xianlei Li, Xiaopeng Hao*, Mingwen Zhao*, Yongzhong Wu, Jiaxiang Yang, Yupeng Tian and Guodong Qian, Exfoliation of Hexagonal Boron Nitride by Molten Hydroxides, Adv. Mater. 2013, 25, 2200–2204
發(fā)明專利
1. 一種水熱腐蝕多孔襯底生長自支撐氮化鎵單晶的方法，ZL 201710601044.3
2. 阻礙半極性面氮化鎵生長并制備自剝離氮化鎵晶體的方法,，ZL202110701742.7
3. 一種多步連續(xù)調(diào)控直接生長自剝離氮化鎵的方法,，ZL202110701740.8
4. 一種使用圖形化退火多孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行GaN單晶生長的方法，ZL 201410114052.1
5. 利用六方氮化硼納米片生長高質(zhì)量氮化鎵晶體的方法,，ZL 201410024671.1
6. 一種利用高溫退火表征GaN外延層中位錯的方法,，ZL 201410000379.6
7. 一種使用減薄鍵合結(jié)構(gòu)進(jìn)行GaN單晶生長的方法，ZL 201210015837.4
8. 在SiC襯底上直接生長自剝離GaN單晶的方法,，ZL 201410113538.3
9. 鋰離子超級電容器電極材料BCN納米管的制備方法,，ZL 201910016000.3
10. 一種用于氮化鋁單晶生長的籽晶粘接方法，ZL 201910015993.2