主要開展第三代半導(dǎo)體（GaN、AlN）單晶的生長、加工及缺陷研究，生長出高質(zhì)量晶體，為我國高性能半導(dǎo)體器件的自主研發(fā)提供強力支撐，有助于突破國外封鎖，解決我國半導(dǎo)體的“缺料、缺芯”問題。