主要開展第三代半導(dǎo)體（GaN,、AlN）單晶的生長,、加工及缺陷研究,，生長出高質(zhì)量晶體,，為我國高性能半導(dǎo)體器件的自主研發(fā)提供強力支撐，有助于突破國外封鎖,，解決我國半導(dǎo)體的“缺料,、缺芯”問題。