主要開展第三代半導(dǎo)體（GaN、AlN）單晶的生長(zhǎng)、加工及缺陷研究,，生長(zhǎng)出高質(zhì)量晶體，為我國(guó)高性能半導(dǎo)體器件的自主研發(fā)提供強(qiáng)力支撐,，有助于突破國(guó)外封鎖，解決我國(guó)半導(dǎo)體的“缺料、缺芯”問(wèn)題。