山東省碳化硅材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（以下簡稱實(shí)驗(yàn)室）由國內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體材料龍頭企業(yè)山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司與齊魯工業(yè)大學(xué)（山東省科學(xué)院）聯(lián)合組建，成立于2020年，2024年獲批重組籌建。

實(shí)驗(yàn)室瞄準(zhǔn)碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域國際學(xué)術(shù)前沿開展基礎(chǔ)理論與應(yīng)用研究，以解決碳化硅半導(dǎo)體材料大規(guī)模應(yīng)用面臨的制備效率低下和成本高昂的問題，同時(shí)研究碳化硅半導(dǎo)體器件批量制備工藝，支撐半導(dǎo)體器件量產(chǎn)，推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新。

實(shí)驗(yàn)室凝聚了一支具有不同學(xué)科背景的研究隊(duì)伍，包括材料學(xué)、化學(xué)、半導(dǎo)體物理等專業(yè)業(yè)，并且逐步形成了交叉融合、特色鮮明的優(yōu)勢(shì)學(xué)科方向。近年來，圍繞極高溫環(huán)境下的碳化硅生長多組分氣相流場傳輸和反應(yīng)模型與理論，碳化硅單晶缺陷形成和演化物理機(jī)制，碳化硅晶體內(nèi)應(yīng)力產(chǎn)生和控制原理，碳化硅同質(zhì)外延生長動(dòng)力學(xué)，外延過程中雜質(zhì)與缺陷行為，載流子輸運(yùn)與表面界面散射機(jī)理等進(jìn)行深入研究，開發(fā)了提高碳化硅基器件載流子遷移率的新結(jié)構(gòu)和新方法，形成了鮮明的研究特色，并取得了突出成果。

實(shí)驗(yàn)室聚焦碳化硅前沿技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)攻關(guān)，培養(yǎng)和招引行業(yè)高端人才，引領(lǐng)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，占據(jù)新的科技競爭高地，促進(jìn)實(shí)現(xiàn)我省高質(zhì)量快速發(fā)展目標(biāo)。